제품안내
제품소개
아르케는 지난 10년간의 연구개발을 통해 SiC Epitaxy제품을 상용화하고자 노력하였습다. 아르케의 전문 기술과 최첨단 Epitaxy 성장 장비를 통하여
고품질의 SiC Epitaxy를 고객에게 제공합니다.
아르케는 고성능 전력반도체 소자용 SiC Epitaxy Wafer를 개발하고 있으며, 초고압 소자를 위한 15㎛ 이상의 Epitaxy 공정을 제공하여 고객의 성능 및 품질 요구사항을
만족시켜 드립니다.
Key Features
• 4H Single-crystal
• 150 ㎜ Wafers
• n-type
• 4˚ off-axis
| Division | Spec. ① | Spec. ② |
| Epitaxy Thickness | 6 ~ 15 ㎛ | 16~25㎛ |
| All epilayers thickness max deviation | ≤10% | ≤12% |
| All epilayers thickness uniformity (sigma/mean) | ≤5% | ≤7% |
| Epitaxy doping concentration | 5E14~7E18/㎤ | 5E14~7E18/㎤ |
| Epilayer net target doping max deviation | ≤15% | ≤18% |
| Epilayer net doping uniformity (sigma/mean) | ≤7% | ≤9% |
| Buffer layer Thickness | 1㎛ (±10%) | 1㎛ (±10%) |
| Buffer layer doping concentration | 1E18/㎤ (±20%) | 1E18/㎤ (±20%) |
| Surface Roughness(㎚, RMS, by AFM) | ≤1 | ≤1 |
| LLS Site Yield (2 ㎜ x 2 ㎜) | > 92% | > 87% |
| Scratches (cumulative) | <30 | <30 |
| Bow (㎛) | ±30 | ±34 |
| Warp (㎛) | ≤48 | ≤55 |
| TTV (㎛) | ≤10 | ≤11 |
| SBIR (㎛) | ≤2 | ≤2 |