제품소개
제품소개
아르케는 지난 10년간의 연구개발을 통해 SiC Epitaxy 제품을 상용화하고자 노력해왔습니다. 아르케의 전문 기술과 최첨단 Epitaxy 성장 장비를 통해 고품질의 SiC Epitaxy를 고객에게 제공합니다.
아르케는 고성능 전력반도체 소자용 SiC Epitaxy Wafer를 개발하고 있으며, 초고압 소자를 위한 15㎛ 이상의 Epitaxy 제품을 제공하여 고객의 성능 및 품질 요구사항을 만족시켜 드리고자 노력합니다.
- 고품질 : 아르케의 SiC Epitaxy 제품은 최첨단 Epitaxy 성장 장비를 통해 제조되며, 고품질의 특성을 보유하고 있습니다.
- 다양성 : 아르케는 고개의 요구사항에 맞는 다양한 종류의 SiC Epitaxy 제품을 제공합니다.
- 가격 경쟁력 : 아르케는 경쟁력 있는 가격으로 SiC Epitaxy 제품을 제공하여 고객이 경제적으로 제품을 사용할 수 있습니다.
아르케는 고객에게 고품질의 SiC Epitaxy 제품을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.
Key Features
- 4H Single-crystal
- 150 ㎜ Wafers
- n-type
- 4˚ off-axis
| Division | Specification |
|---|---|
| Epitaxy Thickness | 5 ~ 20㎛ |
| All epilayers target thickness max deviation | ≤10% |
| All epilayers thickness uniformity (sigma/mean) | ≤5% |
| Epitaxy doping concentration | 10E15~1E17/㎤ |
| Epilayer net target doping max deviation | ≤15% |
| Epilayer net doping uniformity (sigma/mean) | ≤8% |
| Buffer layer Thickness | 1㎛ (±10%) |
| Buffer layer doping concentration | 1E18/㎤ (±20%) |
| Surface Roughness (㎚ , RMS, by AFM) | ≤1 |
| LLS Site Yield (2㎜ x 2 ㎜) | > 92% |
| Scratches (cumulative) | <30 |
| Bow (㎛) | ±30 |
| Warp (㎛) | ≤40 |
| TTV (㎛) | ≤10 |
| SBIR (㎛) | ≤2 |
| Monthly & Annual Manufacturing Wafer | 1000 & 12000 |
| Total Usable Area(2mm*2mm) | ≥92% |